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RGT8TM65D

丝印:RGT8TM65D;Package:TO-220NFM;650V 4A Field Stop Trench IGBT

Features 5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 2) Low Switching Loss 3) Short Circuit Withstand Time 5μs 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series) Applications Welder General Inverter UPS Power Conditioner

文件:1.71004 Mbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

RGT8TM65D

短路耐量 5µs, 650V 4A,内置快速反向恢复二极管, TO-220NFM, 沟槽式场截止型 IGBT

RGT8TM65D是低VCE(sat)的Field Stop Trench IGBT。适合逆变器、UPS、功率调节器、焊接等用途。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Low Switching Loss\n• Short Circuit Withstand Time 5μs\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGT8TM65DGC9

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:FIELD STOP TRENCH IGBT

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-220NFM

  • 包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    T

  • VCES [V]:

    650

  • IC(100°C)[A]:

    3

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.65

  • tf(Typ.) [ns]:

    71

  • tsc(Min.) [us]:

    5

  • Built-in Diode:

    FRD

  • Pd [W]:

    16

  • BVCES (Min.)[V]:

    650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    10x15 (t=4.7)

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更多RGT8TM65D供应商 更新时间2025-11-23 11:06:00