RGT8TM65D分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RGT8TM65D |
| 参数属性 | RGT8TM65D 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：FIELD STOP TRENCH IGBT |
| 功能描述 | 650V 4A Field Stop Trench IGBT |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-220NFM / TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
1.71004 Mbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | ROHM |
| 中文名称 | 罗姆 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-4 11:40:00 |
| 人工找货 | RGT8TM65D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RGT8TM65D规格书详情
RGT8TM65D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由罗姆半导体集团制造生产的RGT8TM65D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
特性 Features
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5μs
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
(RFN - Series)
Applications
Welder
General Inverter
UPS
Power Conditioner
产品属性
更多- 产品编号：
RGT8TM65DGC9
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，4A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/69ns
- 测试条件：
400V，4A，50欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220NFM
- 描述：
FIELD STOP TRENCH IGBT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
Rohm |
20+ |
TO-247 |
15800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
25+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
询价 | ||||
ROHM |
23+ |
TO-247-3 |
20000 |
一级代理原装现货。 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
2860 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ROHM Semiconductor |
23+ |
30 |
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询价 | |||
Rohm Semiconductor |
25+ |
TO-220-3 整包 |
9350 |
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询价 | ||
XX |
25+ |
SMD |
54648 |
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询价 |
