RGT8NS65D分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RGT8NS65D |
| 参数属性 | RGT8NS65D 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 8A 65W TO-263S |
| 功能描述 | 650V 4A Field Stop Trench IGBT |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
721.51 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Rohm |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 13:01:00 |
| 人工找货 | RGT8NS65D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
RGT8NS65DGTL
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，4A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/69ns
- 测试条件：
400V，4A，50欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
LPDS
- 描述：
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
进口 |
1736+ |
RELAY |
8529 |
专营继电器只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
2023+ |
TO263 |
6893 |
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询价 | ||
24+ |
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询价 | ||||
RGTE-24VU |
81 |
81 |
询价 | ||||
ROHM/罗姆 |
22+ |
TO263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 | ||
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
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询价 | |||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
22+ |
TO263 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Rohm Semiconductor |
22+ |
LPDS (TO263S) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
25+ |
TO263 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
