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RGT30NS65D分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RGT30NS65D |
| 参数属性 | RGT30NS65D 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 650V 30A 133W TO-263S |
| 功能描述 | 650V 15A Field Stop Trench IGBT |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
789.58 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | ROHM |
| 中文名称 | 罗姆 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 9:48:00 |
| 人工找货 | RGT30NS65D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RGT30NS65D规格书详情
RGT30NS65D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由罗姆半导体集团制造生产的RGT30NS65D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
RGT30NS65DGTL
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，15A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/64ns
- 测试条件：
400V，15A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
LPDS
- 描述：
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
23+ |
TO-220N |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Rohm Semiconductor |
22+ |
LPDS (TO263S) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
9999 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO-220N |
60000 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
24+ |
8600 |
正品原装,正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | |||
ROHM |
21+ |
LPDS;TO-263(D2-PAK) |
1000 |
全新原装鄙视假货 |
询价 | ||
Rohm Semiconductor |
2022+ |
LPDS(TO-263S) |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
