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RGT30NS65D

650V 15A Field Stop Trench IGBT

文件:789.58 Kbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

RGT30NS65D(TO-262)

短路耐量 5µs, 650V 15A,内置快速反向恢复二极管, TO-262, 沟槽式场截止型 IGBT

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n2) Low Switching Loss\n3) Short Circuit Withstand Time 5us\n4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)\n5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGT30NS65DGC9

Package:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT

ROHM

罗姆

RGT30NS65DGTL

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V 30A 133W TO-263S

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-262

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    50

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    T

  • VCES [V]:

    650

  • IC(100°C)[A]:

    15

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.65

  • tf(Typ.) [ns]:

    75

  • tsc(Min.) [us]:

    5

  • Built-in Diode:

    FRD

  • Pd [W]:

    133

  • BVCES (Min.)[V]:

    650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    10.1x9 (t=4.7)

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更多RGT30NS65D供应商 更新时间2026-2-2 16:47:00