650V 4A Field Stop Trench IGBT

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ROHM

罗姆

短路耐量 5µs, 650V 4A,内置快速反向恢复二极管, LPDS, 沟槽式场截止型 IGBT

罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n2) Low Switching Loss\n3) Short Circuit Withstand Time 5us\n4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)\n5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

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IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench

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Package：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT

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Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 650V 8A 65W TO-263S

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