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RGT8NS65DGC9	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

产品属性

产品编号：
RGT8NS65DGC9
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，4A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/69ns
测试条件：
400V，4A，50欧姆，15V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：
TO-262
描述：
IGBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RGT8NS65DGC9供应商更新时间2024-9-24 14:13:00

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