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RGTH50TK65D

高速开关型, 650V 25A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM,沟槽式场截止型 IGBT

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。 • Low Collector-Emitter Saturation Voltage\n• High Speed Switching\n• Low Switching Loss & Soft Switching\n• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)\n• Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGTH50TK65D

650V 25A Field Stop Trench IGBT

文件:882.87 Kbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RGTH50TK65DGC11

Package:TO-3PFM,SC-93-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

RGTH50TK65

650V 25A Field Stop Trench IGBT

文件:740.74 Kbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-3PFM

  • 包装数量:

    450

  • 最小独立包装数量:

    450

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    TH

  • VCES [V]:

    650

  • IC(100°C)[A]:

    16

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.6

  • tf(Typ.) [ns]:

    50

  • Built-in Diode:

    FRD

  • Pd [W]:

    59

  • BVCES (Min.)[V]:

    650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    16x21 (t=5.2)

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更多RGTH50TK65D供应商 更新时间2025-10-5 10:07:00