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RGTV00TS65	文件：1.16631 Mbytes Page：11 Pages	650V 50A Field Stop Trench IGBT 文件：1.16631 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RGTV00TS65	文件：300 bytes Page：1 Pages	短路耐量 2µs, 650V 50A, TO-247N, 沟槽式场截止型 IGBT RGTV00TS65是低VCE(sat)、低开关损耗的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• High Speed Switching & Low Switching Loss\n• Short Circuit Withstand Time 2μs\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RGTV00TS65D	文件：1.54644 Mbytes Page：13 Pages	650V 50A Field Stop Trench IGBT 文件：1.54644 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RGTV00TS65D	文件：300 bytes Page：1 Pages	短路耐量 2µs, 650V 50A,内置快速反向恢复二极管, TO-247N,沟槽式场截止型 IGBT RGTV00TS65D是低VCE(sat)、低开关损耗的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Short Circuit Withstand Time 2μs\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant\n;	ROHM 罗姆	ROHM
RGTV00TS65DGC11	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT	ROHM 罗姆	ROHM
RGTV00TS65GC11	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-247N
包装数量：
450
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Series：
TV
VCES [V]：
650
IC(100°C)[A]：
50
VCE(sat) (Typ.) [V]：
1.5
tf(Typ.) [ns]：
38
tsc(Min.) [us]：
2
Pd [W]：
276
BVCES (Min.)[V]：
650
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
16x21 (t=5.2)

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