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RGW00TK65DGVC11

丝印:RGW00TK65D;Package:TO-3PFM;650V 50A Field Stop Trench IGBT

Features 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 2) High Speed Switching 3) Low Switching Loss & Soft Switching 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD 5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant Applications IH PFC UPS Welding Solar Inverter

文件:1.5867 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RGW00TK65D

650V 50A Field Stop Trench IGBT

Features 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 2) High Speed Switching 3) Low Switching Loss & Soft Switching 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD 5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant Applications IH PFC UPS Welding Solar Inverter

文件:1.5867 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RGW00TK65D

超高速开关型, 650V 50A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM,沟槽式场截止型 IGBT

RGW00TK65D是以高速开关为特点的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。 • Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Low Switching Loss & Soft Switching\n• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGW00TK65DGVC11

Package:TO-3PFM,SC-93-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

产品属性

  • 产品编号:

    RGW00TK65DGVC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    1.18mJ(开),960µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    52ns/180ns

  • 测试条件:

    400V,50A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3PFM,SC-93-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3PFM

  • 描述:

    650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Rohm Semiconductor
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更多RGW00TK65D供应商 更新时间2025-10-9 15:01:00