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RGW00TK65D分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

RGW00TK65D

参数属性

RGW00TK65D 封装/外壳为TO-3PFM,SC-93-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

650V 50A Field Stop Trench IGBT
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

封装外壳

TO-3PFM,SC-93-3

文件大小

1.5867 Mbytes

页面数量

13

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 23:00:00

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RGW00TK65D规格书详情

RGW00TK65D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由罗姆半导体集团制造生产的RGW00TK65D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) High Speed Switching

3) Low Switching Loss & Soft Switching

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Applications

IH

PFC

UPS

Welding

Solar Inverter

产品属性

更多
  • 产品编号:

    RGW00TK65DGVC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    1.18mJ(开),960µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    52ns/180ns

  • 测试条件:

    400V,50A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3PFM,SC-93-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3PFM

  • 描述:

    650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

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