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NTLJD2104PTAG	文件：129.919 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJD2104PTBG	文件：129.919 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NX-TS2104	文件：1.74981 Mbytes Page：19 Pages	machinecontroller	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
NX-TS2104	文件：4.42097 Mbytes Page：41 Pages	Compactpackage-typemachineautomationcontroller Features •Integratedsequencecontrolandmotioncontrol •UptoeightaxesofcontrolviaEtherCAT •Uptofoursynchronizedaxes-electronicgear/camandlinear/circularinterpolation •Standard-featureEtherCATcontrolnetworksupport •SafetysubsystemonEtherCAT •Standard-featureEt	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
OKY2104	文件：288.72 Kbytes Page：1 Pages	PROTOSHIELDMEGACONMINIPROTOBOARD	AGELECTRONICA AG Electronica	AGELECTRONICA
PCF2104X	文件：269.82 Kbytes Page：56 Pages	LCDcontroller/driver GENERALDESCRIPTION ThePCF2104xintegratedcircuitissimilartothePCF2114x(describedinthe“PCF2116family”datasheet)butdoesnotcontainthehighvoltagegeneratorofthatdevice. ThePCF2104xisoptimizedforchip-on-glassapplications.The‘x’in‘PCF2104x’representsaspecificlett	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
PM2104	文件：390.2 Kbytes Page：4 Pages	RFICPowerAmplifier	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
RF2104	文件：112.62 Kbytes Page：8 Pages	MEDIUMPOWERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2104isamediumpoweramplifierIC.ThedeviceismanufacturedonalowcostSiliconprocess,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierinUHFradiotransmittersoperatingbetween400MHzand1000MHz.Itmayalsobeusedasadriveramplifierinhigherpowe	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2104PCBA-H	文件：112.62 Kbytes Page：8 Pages	MEDIUMPOWERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2104isamediumpoweramplifierIC.ThedeviceismanufacturedonalowcostSiliconprocess,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierinUHFradiotransmittersoperatingbetween400MHzand1000MHz.Itmayalsobeusedasadriveramplifierinhigherpowe	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2104PCBA-L	文件：112.62 Kbytes Page：8 Pages	MEDIUMPOWERAMPLIFIER ProductDescription TheRF2104isamediumpoweramplifierIC.ThedeviceismanufacturedonalowcostSiliconprocess,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierinUHFradiotransmittersoperatingbetween400MHzand1000MHz.Itmayalsobeusedasadriveramplifierinhigherpowe	RFMD RF Micro Devices	RFMD

详细参数

型号：
NTLJD2104PTAG
功能描述：
MOSFET PFET WDFN 12V 90MOHM 3.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTLJD2104PTAG供应商更新时间2025-5-28 15:22:00

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