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NTLJD3119C	文件：173.78 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 20 V/??0 V, 4.6 A/??.1 A, uCool Complementary, 2x2 mm, WDFN Package 文件：173.78 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJD3119C	文件：178.14 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：178.14 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJD3119C_16	文件：178.14 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：178.14 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJD3119CTAG	文件：173.78 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 20 V/??0 V, 4.6 A/??.1 A, uCool Complementary, 2x2 mm, WDFN Package 文件：173.78 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJD3119CTAG	文件：178.14 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：178.14 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJD3119CTBG	文件：178.14 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：178.14 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJD3119CTBG	文件：173.78 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 20 V/??0 V, 4.6 A/??.1 A, uCool Complementary, 2x2 mm, WDFN Package 文件：173.78 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJD3119C	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补，功率 MOSFET，20V Power MOSFET\n20 V/−20 V, 4.6 A/−4.1 A, Complementary,\n2x2 mm, WDFN Package • Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET\n• WDFN Package with Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction\n• Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance\n• Low Profile (\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
3.8
PD Max (W)：
1.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
N
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
N
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
5.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.7
Ciss Typ (pF)：
N
Package Type：
WDFN-6

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