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NTLJF4156N

单 N 沟道功率 MOSFET 和肖特基二极管 30V 4.6A 70mΩ

Power MOSFET and Schottky Diode\n30 V, 4.6 A, µCool\u0002™ N−Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm\nWDFN Package • WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction\n• Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layout\n• RDS(on) Rated at Low VGS=1.5 V\n• Low Profile (\n• Low VF Schottky;

ONSEMI

安森美半导体

NTLJF4156N

Typical Uses for FETKY Devices

文件:295.52 Kbytes 页数:2 Pages

ONSEMI

安森美半导体

PE4156

TNC Male Connector Crimp/Solder Attachment

文件:358.66 Kbytes 页数:3 Pages

PASTERNACK

PE4156

TNC Male Connector Crimp - Solder Attachment For RG58

文件:268.84 Kbytes 页数:3 Pages

PASTERNACK

PVC4156

Polyester and Polypropylene Film/Foil Capacitors

文件:289.14 Kbytes 页数:6 Pages

CDE

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    1

  • ID Max (A):

    3.7

  • PD Max (W):

    1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    90

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    70

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    13

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    5.4

  • Ciss Typ (pF):

    427

  • Package Type:

    WDFN-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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WDFN-6
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更多NTLJF4156N供应商 更新时间2025-10-7 11:10:00