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|---|---|---|---|---|
NTLJD4150PTBG | Power MOSFET -30 V, -3.4 A, uCool TM Dual P-Channel,2x2 mm WDFN Package 文件：81.51 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
4A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Description and Applications This Schottky Barrier Rectifier has been designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. It is ideally suited to use as: • Polarity Protection Diode • Re-circulating Diode • Switching Diode Features and Benefits • Guard Ring Die Constructi 文件：81.13 Kbytes 页数：3 Pages | DIODES 美台半导体 | DIODES | ||
4A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：98.14 Kbytes 页数：5 Pages | DIODES 美台半导体 | DIODES | ||
4A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：407.37 Kbytes 页数：5 Pages | DIODES 美台半导体 | DIODES |
详细参数
- 型号：
NTLJD4150PTBG
- 功能描述：
MOSFET P-CH DUAL 30V 3.2A 6WDFN
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMICON |
23+ |
NA |
1308 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
6WDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
6WDFN |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
6-WDFN(2x2) |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
6-WDFN |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
ON |
2023+环保现货 |
绝对原装正品!! |
4425 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
询价 | ||
ONSEMI |
2018+ |
SOP/DIPQFP |
195 |
原装假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
6-WDFN |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
6DFN |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
6WDFN |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
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