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NTLJF3118N	文件：295.52 Kbytes Page：2 Pages	Typical Uses for FETKY Devices	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJF3118N	文件：155.49 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode 20 V, 4.6 A, uCool N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm WDFN Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJF3118NTAG	文件：155.49 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode 20 V, 4.6 A, uCool N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm WDFN Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJF3118NTBG	文件：155.49 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode 20 V, 4.6 A, uCool N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm WDFN Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PEM3118	文件：688.51 Kbytes Page：13 Pages	30WPowerOverEthernetPlus(POE)PDModule	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PIP3118-B	文件：30.06 Kbytes Page：6 Pages	LogiclevelTOPFET DESCRIPTION MonolithictemperatureandoverloadprotectedlogiclevelpowerMOSFETinTOPFET2technologyassembledina3pinsurfacemountplasticpackage. FEATURES •TrenchMOSoutputstage •Currentlimiting •Overloadprotection •Overtemperatureprotection •Protectionlatchedresetby	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
RF3118	文件：116.92 Kbytes Page：6 Pages	3V1900MHZLINEARAMPLIFIERMODULE ProductDescription TheRF3118isahigh-power,high-efficiencylinearamplifierICtargeting3Vhandheldsystems.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierindual-mode3VCD	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF3118PCBA	文件：116.92 Kbytes Page：6 Pages	3V1900MHZLINEARAMPLIFIERMODULE ProductDescription TheRF3118isahigh-power,high-efficiencylinearamplifierICtargeting3Vhandheldsystems.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierindual-mode3VCD	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RO3118A	文件：392.4 Kbytes Page：2 Pages	318.0MHzSAWResonator	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
RO3118E	文件：226.18 Kbytes Page：2 Pages	Idealfor318MHzRemoteControlandSecurityTransmitters	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata

详细参数

型号：
NTLJF3118N
制造商：
ONSEMI
制造商全称：
ON Semiconductor
功能描述：
Typical Uses for FETKY Devices

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	NTLJF3118NTBG	ONS	23+	NTLJF3118NTB	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
深圳市近平电子有限公司	NTLJF3118NTAG	ON	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NTLJF3118NTBG	ON Semiconductor	22+	6WDFN	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市正纳电子有限公司	NTLJF3118NTAG	ON/安森美	23+	NA	17996	电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	NTLJF3118NTBG	ON Semiconductor	23+	6WDFN	9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NTLJF3118NTBG	ON Semiconductor	2022+	6-WDFN 裸露焊盘	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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