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NTLTD7900ZR2G

Power MOSFET 9 A, 20 V, Logic Level, N-Channel Micro8 TM Leadless

文件:177.78 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTLTD7900ZR2G

Power MOSFET 9 A, 20 V, Logic Level, N-Channel Micro8??Leadless

文件:340.39 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTLTD7900ZR2G

Power MOSFET 9 A, 20 V, Logic Level, N-Channel Micro8 TM Leadless

ONSEMI

安森美半导体

NTLTD7900ZR2

Power MOSFET 9 A, 20 V, Logic Level, N-Channel Micro8??Leadless

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ONSEMI

安森美半导体

NTLTD7900ZR2

Power MOSFET 9 A, 20 V, Logic Level, N-Channel Micro8 TM Leadless

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ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTLTD7900ZR2G

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 9A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI
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更多NTLTD7900ZR2G供应商 更新时间2025-10-4 8:31:00