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NTMD3N08LR2	文件：97.18 Kbytes Page：12 Pages	Power MOSFET 2.3 Amps, 80 Volts PowerMOSFET2.3Amps,80Volts N−ChannelEnhancement−ModeSO−8DualPackage Features •UltraLowOn−ResistanceProvidesHigherEfficiency ♦RDS(on)=0.215Ω,VGS=10V ♦RDS(on)=0.245Ω,VGS=5.0V •LowReverseRecoveryLosses •InternalRG=50Ω •DesignedforPowerManagement	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTMD3N08LR2

文件：97.18 Kbytes

Page：12 Pages

Power MOSFET 2.3 Amps, 80 Volts

PowerMOSFET2.3Amps,80Volts N−ChannelEnhancement−ModeSO−8DualPackage Features •UltraLowOn−ResistanceProvidesHigherEfficiency ♦RDS(on)=0.215Ω,VGS=10V ♦RDS(on)=0.245Ω,VGS=5.0V •LowReverseRecoveryLosses •InternalRG=50Ω •DesignedforPowerManagement

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
NTMD3N08LR2
功能描述：
MOSFET 80V 2.3A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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