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NTMFS4821N	文件：142.39 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N?묬hannel, SO?? FL 文件：142.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4821N	文件：146.28 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 58.5A Single N-channel, SO-8 FL 文件：146.28 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4821N_12	文件：146.28 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 58.5A Single N-channel, SO-8 FL 文件：146.28 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4821NT1G	文件：142.39 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N?묬hannel, SO?? FL 文件：142.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4821NT1G	文件：146.28 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 58.5A Single N-channel, SO-8 FL 文件：146.28 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4821NT3G	文件：142.39 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N?묬hannel, SO?? FL 文件：142.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4821NT3G	文件：146.28 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 58.5A Single N-channel, SO-8 FL 文件：146.28 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4821N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，58.5A，6.95mΩ Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N−Channel, SO−8 FL • Low RDS(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance\n• Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge\n• Minimize Switching Losses\n• Thermally Enhanced S08 Package\n• Efficient Thermal Management\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
58.5
PD Max (W)：
0.33
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
10.8
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
6.95
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
39
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
10.7
Ciss Typ (pF)：
1400
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTMFS4821N	ON/安森美	23+	QFN-8	39880	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市一线半导体有限公司	NTMFS4821NT3G	ON	24+	DFN5(SO-8FL)5x61	8866		询价
深圳市联世界科技有限公司	NTMFS4821NT1G	ON	24+/25+		916	原装正品现货库存价优	询价
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更多NTMFS4821N供应商更新时间2025-12-11 17:11:00

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