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NTMD3P03R2

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

文件:66.64 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

文件:147.05 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2

Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8

文件:116.48 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2_06

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

文件:147.05 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2_13

Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8

文件:116.48 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2G

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.05873 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTMD3P03R2G

Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.33481 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

NTMD3P03R2G

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

文件:147.05 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2G

Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8

文件:116.48 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTMD3P03R2

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 3.05A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTMD3P03R2供应商 更新时间2025-10-4 10:31:00