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NTMD3P03R2G	文件：147.05 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2G	文件：1.05873 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NTMD3P03R2G	文件：1.33481 Mbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTMS3P03R2	文件：148.34 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET-3.05Amps,-30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTMD3P03R2
功能描述：
MOSFET 30V 3.05A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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