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NTMD6N04R2G

MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A

Features • Designed for use in low voltage, high speed switching applications • Ultra Low On−Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life − RDS(on) = 0.027 , VGS = 10 V (Typ) − RDS(on) = 0.034 , VGS = 4.5 V (Typ) • Miniature SOIC−8 Surface Mount Package Saves Board Spac

文件:219.31 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD6N04R2G

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:1.08883 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTMD6N04R2G

Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8

文件:84.29 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD6N04R2G

Power MOSFET

文件:105.45 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTMD6N04R2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTMD6N04R2G供应商 更新时间2025-10-7 14:14:00