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NTMD6N04R2G	文件：219.31 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A Features •Designedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplications •UltraLowOn−ResistanceProvides HigherEfficiencyandExtendsBatteryLife −RDS(on)=0.027,VGS=10V(Typ) −RDS(on)=0.034,VGS=4.5V(Typ) •MiniatureSOIC−8SurfaceMountPackageSavesBoardSpac	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：1.08883 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTMD6N04R2	文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N04R2	文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET40V,5.8A,DualN-ChannelSOIC-8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMD6N04R2G	文件：219.31 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET–Power,DualN-Channel,SOIC-840V,5.8A Features •Designedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplications •UltraLowOn−ResistanceProvides HigherEfficiencyandExtendsBatteryLife −RDS(on)=0.027,VGS=10V(Typ) −RDS(on)=0.034,VGS=4.5V(Typ) •MiniatureSOIC−8SurfaceMountPackageSavesBoardSpac	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMD6N04R2G	文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTMD6N04R2G
功能描述：
MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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