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NTMD6N04R2G	文件：219.31 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A Features • Designed for use in low voltage, high speed switching applications • Ultra Low On−Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life − RDS(on) = 0.027 , VGS = 10 V (Typ) − RDS(on) = 0.034 , VGS = 4.5 V (Typ) • Miniature SOIC−8 Surface Mount Package Saves Board Spac 文件：219.31 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：1.08883 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08883 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTMD6N04R2G	文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 文件：84.29 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：105.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NTMD6N04R2G供应商更新时间2026-1-31 9:05:00