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NTMD6P02	文件：124.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 6 A, 20 V, P?묬hannel SOIC??, Dual 文件：124.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6P02	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 P 沟道，功率 MOSFET，-20V，-6A，33mΩ Power MOSFET\n6 A, 20 V, P−Channel SOIC−8, Dual • Ultra Low RDS(on)\n• Higher Efficiency Extending Battery Life\n• Logic Level Gate Drive\n• Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package\n• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery\n• Avalanche Energy Specified\n• SO-8 Mounting Information Provided\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6P02R2	文件：87.46 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：87.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6P02R2	文件：124.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P-Channel SO-8, Dual 文件：124.15 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6P02R2_15	文件：87.46 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：87.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6P02R2G	文件：124.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 6 A, 20 V, P?묬hannel SOIC??, Dual 文件：124.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6P02R2G	文件：87.46 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：87.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6P02R2SG	文件：124.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 6 A, 20 V, P?묬hannel SOIC??, Dual 文件：124.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
-1.2
ID Max (A)：
6
PD Max (W)：
1.4
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=50
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=33
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
7.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
20
Ciss Typ (pF)：
1380
Package Type：
SOIC-8

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