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NTMD6P02R2SG	文件：124.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 6 A, 20 V, P?묬hannel SOIC??, Dual 文件：124.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMD6P02R2G	文件：87.46 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：87.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTMD6P02R2	文件：124.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P-Channel SO-8, Dual 文件：124.15 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
NTMD6P02R2SG
功能描述：
MOSFET PFET20V 6A .033R TR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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