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NTMFS4841NHT3G	文件：144.49 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N?묬hannel, SO??FL PowerMOSFET 30V,59A,SingleN−Channel,SO−8FL Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •LowRG •ThesearePb−FreeDevices* Applications •RefertoApplicationNoteAND8195/D	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTMFS4841NHT3G

文件：144.49 Kbytes

Page：7 Pages

Power MOSFET 30 V, 59 A, Single N?묬hannel, SO??FL

PowerMOSFET 30V,59A,SingleN−Channel,SO−8FL Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •LowRG •ThesearePb−FreeDevices* Applications •RefertoApplicationNoteAND8195/D

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
NTMFS4841NHT3G
功能描述：
MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7MO
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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