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NTMFS4939N	文件：148.38 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 53 A, Single N?묬hannel, SO?? FL 文件：148.38 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4939N	文件：119.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：119.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4939N_12	文件：119.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：119.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4939NT1G	文件：119.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：119.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTMFS4939NT3G	文件：119.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：119.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4939NT3G	文件：148.38 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 53 A, Single N?묬hannel, SO?? FL 文件：148.38 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4939N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道功率 MOSFET 30V，53A，5.5mΩ This is a 30 V N-Channel Power MOSFET. • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Improve System Efficiency\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Improve Switching Performance\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• Improve Switching Performance\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
53
PD Max (W)：
30
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
8
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
5.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
21.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
28.5
Ciss Typ (pF)：
1954
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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