NTMD6P02中文资料双 P 沟道，功率 MOSFET，-20V，-6A，33mΩ数据手册ONSEMI规格书
NTMD6P02规格书详情
描述 Description
Power MOSFET
6 A, 20 V, P−Channel SOIC−8, Dual
特性 Features
• Ultra Low RDS(on)
• Higher Efficiency Extending Battery Life
• Logic Level Gate Drive
• Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
• Avalanche Energy Specified
• SO-8 Mounting Information Provided
• Pb-Free Packages are Available
应用 Application
• Power Management in Portable and Battery-Powered Products
• Cellular and Cordless Telephones
• PCMCIA Cards
技术参数
- 制造商编号
：NTMD6P02
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：-1.2
- ID Max (A)
：6
- PD Max (W)
：1.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=50
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=33
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：7.7
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：20
- Ciss Typ (pF)
：1380
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
25+ |
SOP8 |
1000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
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ON |
1923+ |
SO8 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SO-8 |
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原装正品代理渠道价格优势 |
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ON(安森美) |
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ON/安森美 |
23+ |
SOP |
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20094 |
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SO-8 |
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原装正品 |
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ON/安森美 |
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原厂原装,假一罚十 |
询价 | |||
ONS |
2023+ |
SO-8 |
50000 |
原装现货 |
询价 |
