NTMD6N03数据手册ONSEMI中文资料规格书
NTMD6N03规格书详情
描述 Description
Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N-Channel SOIC-8
特性 Features
• Designed for use in low voltage, high speed switching applications
• Ultra Low Rds(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life - Rds(on) = 0.024 Ω, VGS = 10 V (Typ) - Rds(on) = 0.030 Ω, VGS = 4.5 V (Typ)
• Miniature SO-8 Surface Mount Package Saves Board Space
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• Diode Exhibits High Speed, with Soft Recovery
• RoHS Compliant
应用 Application
• Dc-Dc Converters
• Computers
• Printers
• Cellular and Cordless Phones
• Disk Drives and Tape Drives
技术参数
- 制造商编号
：NTMD6N03
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：6
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=40
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=32
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：19
- Ciss Typ (pF)
：680
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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NA/ |
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ON |
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SO-8 |
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