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NTMD6N03R2	文件：74.75 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N03R2	文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTMD6N03R2G	文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N03R2G	文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N03R2G	文件：1.02503 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IPBH6N03LAG	文件：280.51 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPDH6N03LA	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPDH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPFH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPSH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPSH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPUH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPUH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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MMDF6N03HD	文件：207.39 Kbytes Page：10 Pages	DUALTMOSPOWERMOSFET30VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualH	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMDF6N03HD	文件：236.06 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET6Amps,30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
NTMD6N03
功能描述：
MOSFET 30V 6A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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