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NTMD6N03

功率 MOSFET,30V,6A,32mΩ,双 N 沟道,SO-8

Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N-Channel SOIC-8 • Designed for use in low voltage, high speed switching applications\n• Ultra Low Rds(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life - Rds(on) = 0.024 Ω, VGS = 10 V (Typ) - Rds(on) = 0.030 Ω, VGS = 4.5 V (Typ)\n• Miniature SO-8 Surface Mount Package Saves Board Space\n• Diode is Characteriz;

ONSEMI

安森美半导体

NTMD6N03R2

Power MOSFET

文件:74.75 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD6N03R2

Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8

文件:343.11 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD6N03R2

Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8

文件:343.11 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD6N03R2G

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.02503 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTMD6N03R2G

Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8

文件:343.11 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD6N03R2G

Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8

文件:343.11 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.5

  • ID Max (A):

    6

  • PD Max (W):

    2

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=40

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1=Q2=32

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    19

  • Ciss Typ (pF):

    680

  • Package Type:

    SOIC-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
20+
SOP-8
120000
原装正品 可含税交易
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MOT
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SO-8
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2023+
SOP
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进口原装现货
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