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NTMFS4835N	文件：142.35 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 104 A, Single N?묬hannel, SO??FL MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8FL 30 V, 104 A Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These are Pb−Free Devices Applications • Refer to Application Note AND8195/D • CPU P 文件：142.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4835N	文件：145.92 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 104A Single N-Channel, SO-8FL 文件：145.92 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4835NT1G	文件：142.35 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4835N；Package：SO-8FL；Power MOSFET 30 V, 104 A, Single N?묬hannel, SO??FL MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8FL 30 V, 104 A Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These are Pb−Free Devices Applications • Refer to Application Note AND8195/D • CPU P 文件：142.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4835NT3G	文件：142.35 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 104 A, Single N?묬hannel, SO??FL MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8FL 30 V, 104 A Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These are Pb−Free Devices Applications • Refer to Application Note AND8195/D • CPU P 文件：142.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4835N_12	文件：145.92 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 104A Single N-Channel, SO-8FL 文件：145.92 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4835NT1G	文件：145.92 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4835N；Package：SO-8FL；Power MOSFET 30V 104A Single N-Channel, SO-8FL 文件：145.92 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4835NT3G	文件：145.92 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30V 104A Single N-Channel, SO-8FL 文件：145.92 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4835N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，104A，3.5mΩ Power MOSFET 30 V, 104 A, Single N-Channel, SO-8 FL • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
104
PD Max (W)：
22.3
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
25.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
52
Ciss Typ (pF)：
3100
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	NTMFS4835N	ON/安森美	23+	DFN56-6-EP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	NTMFS4835N	ON/安森美	20+	DFN56-6-EP	300000	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
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更多NTMFS4835N供应商更新时间2025-11-30 11:00:00

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