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NTLUS4C12N

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTLUS4C12N

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTLUS4C12N_14

Power MOSFET

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安森美半导体

NTLUS4C12NTAG

Power MOSFET

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安森美半导体

NTLUS4C12NTAG

Power MOSFET

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安森美半导体

NTLUS4C12NTBG

Power MOSFET

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安森美半导体

NTLUS4C12NTBG

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTLUS4C12N

单 N 沟道,µCool™ 功率 MOSFET,30V,10.7A,9mΩ

Power MOSFET \n30 V, 10.7 A, Single N−Channel, \n2.0x2.0x0.55 mm µCool™ UDFN6 Package • UDFN Package with Exposed Drain Pads\n• Excellent Thermal Conduction\n• Ultra Low RDS(on)\n• Improve System Efficiency\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Reduce Switching Losses\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.1

  • ID Max (A):

    9.1

  • PD Max (W):

    1.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    12

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    9

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    8.4

  • Ciss Typ (pF):

    1172

  • Package Type:

    UDFN-6

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