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更多供应商 更新时间:2022-1-22 13:56:00

NTLTD7900ZR2技术资料

NTLTD7900ZR2功能描述:MOSFET 20V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTLTD7900ZR2_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 9 A, 20 V, Logic Level, N-Channel Micro8 TM Leadless

NTLTD7900ZR2G功能描述:MOSFET 20V 9A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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