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NTLJS1102PTAG	文件：119.3 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET ?? V, ??.1 A, COOL Single P?묬hannel, 2x2 mm, WDFN package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLJS1102PTBG	文件：119.3 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET??V,??.1A,COOLSingleP?묬hannel,2x2mm,WDFNpackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ON1102	文件：70.78 Kbytes Page：4 Pages	ForcontactlessSW,objectdetection PhotoInterrupters ForcontactlessSW,objectdetection Overview CNZ1102andCNZ1108areaphotocouplerinwhichahighefficiencyGaAsinfraredlightemittingdiodeisusedasthelightemittingelement,andahighsensitivityphototransistorisusedasthelightdetectingelement.The	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
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P1102SA	文件：356.07 Kbytes Page：5 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS)	SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 硕凯电子硕凯电子股份有限公司	SOCAY
P1102SALRP	文件：142.84 Kbytes Page：5 Pages	TwinChip??SeriesDO-214areverylowcapacitanceSIDACtor짰devicesdesigned	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
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P1102SC	文件：356.18 Kbytes Page：5 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS)	SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 硕凯电子硕凯电子股份有限公司	SOCAY

详细参数

型号：
NTLJS1102PTAG
功能描述：
MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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