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NTLJS3113P	文件：79.34 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??.7 A, uCool TM Single 2x2 mm, WDFN Package 文件：79.34 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJS3113P	文件：166.74 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：166.74 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJS3113P_06	文件：79.34 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??.7 A, uCool TM Single 2x2 mm, WDFN Package 文件：79.34 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJS3113PT1G	文件：79.34 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??.7 A, uCool TM Single 2x2 mm, WDFN Package 文件：79.34 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJS3113PT1G	文件：1.23857 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.23857 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTLJS3113PT1G	文件：166.74 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：166.74 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJS3113PTAG	文件：1.23857 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.23857 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTLJS3113PTAG	文件：166.74 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：166.74 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJS3113PTAG	文件：136.52 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：136.52 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJS3113P	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道，功率 MOSFET，-20V，-7.7A，40 mΩ Power MOSFET -20 V, -9.5 A, µCool™ Single P-Channel 2x2 mm WDFN Package • WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction\n• 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package\n• Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package\n• 1.5 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate Drive\n• Low Profile (\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
5.8
PD Max (W)：
1.9
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
40
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
2.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
13
Ciss Typ (pF)：
1329
Package Type：
WDFN-6

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更多NTLJS3113P供应商更新时间2025-11-22 14:00:00

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