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NTLJS3113P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTLJS3113P

功能描述

单 P 沟道,功率 MOSFET,-20V,-7.7A,40 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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NTLJS3113P规格书详情

描述 Description

Power MOSFET -20 V, -9.5 A, µCool™ Single P-Channel 2x2 mm WDFN Package

特性 Features

• WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction
• 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package
• Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
• 1.5 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate Drive
• Low Profile (
• RoHS Compliant

应用 Application

• DC-DC Converters (Buck and Boost Circuits)
• Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment
• High Side Load Switch
• Cell Phones
• PDAs
• Media Players

技术参数

  • 制造商编号

    :NTLJS3113P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1

  • ID Max (A)

    :5.8

  • PD Max (W)

    :1.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :40

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :2.6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :13

  • Ciss Typ (pF)

    :1329

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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