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NTLGD3502N中文资料双 N 沟道，功率 MOSFET，20V数据手册ONSEMI规格书
NTLGD3502N规格书详情
描述 Description
Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N-Channel, DFN6 3x3 mm Package
特性 Features
• Exposed Drain Package
• Excellent Thermal Resistance for Superior Heat Dissipation
• Low Threshold Levels
• Low Profile (
应用 Application
• DC-DC Converters (Buck and Boost Circuits)
• Power Supplies and Hard Disk Drives
技术参数
- 制造商编号
：NTLGD3502N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： Dual N-Channel Power MOSFET 20V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：Condition: VGS= 0 V
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：Q1: 5.8
- PD Max (W)
：1.74
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1:60
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：5.5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.9
- Ciss Typ (pF)
：250
- Package Type
：DFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NA/ |
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