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NTJD4401N中文资料双 N 沟道,小信号 MOSFET,带 ESD 防护,20V,630mA,375mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTJD4401N

功能描述

双 N 沟道,小信号 MOSFET,带 ESD 防护,20V,630mA,375mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:01:00

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NTJD4401N规格书详情

描述 Description

This N-Channel dual device was designed with a small footprint package (2x2 mm) with ON Semiconductor's leading planar process for small footprint and increased efficiency.The low figure of merit is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras, and PDAs.

特性 Features

• Small Footprint (2 x 2 mm)
• Low Gate Charge N-Channel Device
• ESD Protected Gate
• Same Package as SC-70 (6 Leads)
• RoHS Compliant

应用 Application

• Load Power Switching
• Li-Ion Battery Supplied Devices
• DC-DC Conversion
• Cell Phones
• Media Players
• Digital Cameras
• PDAs

技术参数

  • 制造商编号

    :NTJD4401N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :0.63

  • PD Max (W)

    :0.55

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=445

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=375

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :8.6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.3

  • Ciss Typ (pF)

    :33

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SOT-363
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
询价
ONS
23+
NTJD4401NT2
13528
振宏微原装正品,假一罚百
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ON/安森美
24+
SC-88
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
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三年内
1983
只做原装正品
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ON/安森美
22+
SC-88-6
9000
原装正品,支持实单!
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ON/安森美
21+
SC-88
8080
只做原装,质量保证
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ON
25+
SOT363
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
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ON
23+
SOT-363-6
18000
正规渠道,只有原装!
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ON
23+
NA
12639
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品
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ON
20+
SOT-363
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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