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NTJD4401N	文件：66.5 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection 文件：66.5 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4401N	文件：124.04 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, Dual N?묬hannel, SC??8 ESD Protection 文件：124.04 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4401N	文件：72.88 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：72.88 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4401N	文件：731.4 Kbytes Page：5 Pages	Low Gate Charge N?묬hannel Device 文件：731.4 Kbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NTJD4401N_06	文件：66.5 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection 文件：66.5 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4401N_08	文件：86.3 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection 文件：86.3 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4401N_15	文件：72.88 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：72.88 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4401NT1	文件：86.3 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection 文件：86.3 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4401NT1	文件：66.5 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection 文件：66.5 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTJD4401NT1G	文件：66.5 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection 文件：66.5 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.5
ID Max (A)：
0.63
PD Max (W)：
0.55
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=445
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=375
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
8.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.3
Ciss Typ (pF)：
33
Package Type：
SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

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更多NTJD4401N供应商更新时间2025-10-4 9:11:00

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