选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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SOP |
30419 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
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ONSOT363 |
974 |
0613+ |
公司原装现货,可来看货! |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
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ON(安森美)SC-88 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
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ON/安森美SOT-363 |
50000 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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ONSOT23-6 |
30000 |
18+21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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ON/安森美SOT363 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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ON/安森美SMD |
10053 |
2105+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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ON/安森美SC-88-6 |
131316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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ONSOT-363 |
6000 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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OnsemiNA |
45000 |
22+ |
100%原装正品现货,现货型号众多加QQ咨询 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
60000 |
21+ |
只售原装进口正品 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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ONSOT-363 |
45000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市芯纬度科技有限公司2年
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ONSOT-363 |
4020 |
22+ |
公司现货,有挂就有货。 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
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ONSOT23-6 |
30000 |
18+21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
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ONSEMISOT363 |
5000 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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ON/安森美SOT-363 |
9000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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ON/安森美SOT-363 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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ON/安森美SC-88-6 |
127048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
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代卖 |
25000 |
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原装现货、假一赔十 |
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NTJD4401NT1G价格
NTJD4401NT1G价格:¥0.5704品牌:ONSemi
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NTJD4401NT1功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJD4401NT1G功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJD4401NT2功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJD4401NT2G功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJD4401NT4功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJD4401NT4G功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube