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NTLGD3502N	文件：87.65 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N?묬hannel, DFN6 3x3 mm Package 文件：87.65 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLGD3502NT1G	文件：87.65 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N?묬hannel, DFN6 3x3 mm Package 文件：87.65 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLGD3502NT2G	文件：87.65 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N?묬hannel, DFN6 3x3 mm Package 文件：87.65 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLGD3502N	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 N 沟道，功率 MOSFET，20V Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N-Channel, DFN6 3x3 mm Package • Exposed Drain Package\n• Excellent Thermal Resistance for Superior Heat Dissipation\n• Low Threshold Levels\n• Low Profile (;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Dual N-Channel Power MOSFET 20V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
Condition
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
Q1
PD Max (W)：
1.74
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
5.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
2.9
Ciss Typ (pF)：
250
Package Type：
DFN-6

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