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NTLGD3502NT1G

Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N?묬hannel, DFN6 3x3 mm Package

文件:87.65 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTLJD3115PT1G

WDFN-6

ON

NTMD5838NLR2G

SOIC-8

ON

NTMFD0D9N02P1E

ONSEMI

安森美半导体

上传:天津市博通航睿技术有限公司

NTMFS5C628NLT1G

DFN-5

ON

详细参数

  • 型号:

    NTLGD3502NT1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3mm 60M

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
2025+
DFN-3x3
5000
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ON
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3000
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ON/安森美
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MLF-6
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ON/安森美
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MLF-6
10000
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ON Semiconductor
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6DFN
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ON
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MLF-6
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ON
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MLF-6
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ON
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MLF-6
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ON Semiconductor
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6-DFN(3x3)
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更多NTLGD3502NT1G供应商 更新时间2025-12-12 15:08:00