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NTJS4160NT1G数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTJS4160NT1G

功能描述

小信号 MOSFET,30V,3.2A,60 mΩ,双 N 沟道 SC−88/SC70−6/SOT−363

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:18:00

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NTJS4160NT1G规格书详情

描述 Description

功率 MOSFET,30V,3.2 A,单 N 沟道,SC-88

特性 Features

• Offers a Low RDS(on) Solution in the SC-88 Package
• Low Profile (< 1.1 mm) Allows it to fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics
• Operates at Standard Logic Level Gate Drive
• Low Gate Charge
• This is a Pb-Free Device

应用 Application

DC-DC Converters (Buck and Boost Circuit) Optimized for Battery Powered Portable Equipment such as Cell Phones, PDAs, Media Players, etc Load Management Battery Charging and OV IC Protection Circuits

技术参数

  • 型号:

    NTJS4160NT1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 30V 3.2A 60MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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SC88
18000
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