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NTJS4160NT1G中文资料小信号 MOSFET，30V，3.2A，60 mΩ，双 N 沟道 SC−88/SC70−6/SOT−363数据手册ONSEMI规格书
NTJS4160NT1G规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET，30V，3.2 A，单 N 沟道，SC-88
特性 Features
• Offers a Low RDS(on) Solution in the SC-88 Package
• Operates at Standard Logic Level Gate Drive
• This is a Pb-Free Device
应用 Application
DC-DC Converters (Buck and Boost Circuit) Optimized for Battery Powered Portable Equipment such as Cell Phones, PDAs, Media Players, etc Load Management Battery Charging and OV IC Protection Circuits
技术参数
- 型号：
NTJS4160NT1G
- 功能描述：
MOSFET NFET 30V 3.2A 60MOHM
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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