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NTLJS2103P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTLJS2103P

功能描述

单 P 沟道,µCool™ 功率 MOSFET,-12V,-7.7A,40mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:40:00

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NTLJS2103P规格书详情

描述 Description

-12 V, -7.7 A, µCool™ Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package

特性 Features

• Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
• System Efficiency Improvement
• WDFN Package Provides Exposed Drain Pad
• Excellent Thermal Conduction
• 1.2 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level GateDrive
• Low Profile (
• RoHS Compliant

应用 Application

• High Side Load Switch
• DC-DC Converters (Buck and Boost Circuits)
• Optimized for Battery and Load Management Applications inPortable Equipment
• Li-Ion Battery Linear Mode Charging
• Cell Phone, DSC, PMP, GPS, Portable Games, DPF, others

技术参数

  • 制造商编号

    :NTLJS2103P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-12

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :0.8

  • ID Max (A)

    :5.9

  • PD Max (W)

    :1.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :35

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :25

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :8.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12.8

  • Ciss Typ (pF)

    :1157

  • Package Type

    :WDFN-6

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