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NTLJD3115P中文资料双 P 沟道功率 MOSFET -20V -4.1A 100mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTLJD3115P

功能描述

双 P 沟道功率 MOSFET -20V -4.1A 100mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:01:00

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NTLJD3115P规格书详情

描述 Description

Power MOSFET -20 V, -4.1 A, µCool™ Dual P-Channel, 2x2 mm WDFN Package

特性 Features

• WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction
• 2x2 mm Footprint Same as SC-88
• Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
• 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive Logic Level
• Low Profile (
• Bidirectional Current Flow with Common Source Configuration

应用 Application

• Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment
• Li-Ion Battery Charging and Protection Circuits
• High Side Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :NTLJD3115P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1

  • ID Max (A)

    :3.3

  • PD Max (W)

    :1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=135

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=100

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :6.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :5.5

  • Ciss Typ (pF)

    :531

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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