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NTLJD3115P

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTLJD3115P

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTLJD3115P_16

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTLJD3115PT1G

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTLJD3115PT1G

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTLJD3115PTAG

Power MOSFET

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安森美半导体

NTLJD3115PTAG

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTLJD3115P

双 P 沟道功率 MOSFET -20V -4.1A 100mΩ

Power MOSFET -20 V, -4.1 A, µCool™ Dual P-Channel, 2x2 mm WDFN Package • WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction\n• 2x2 mm Footprint Same as SC-88\n• Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package\n• 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive Logic Level\n• Low Profile (\n• Bidirectional Current Flow with Common Source Conf;

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安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    -20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    1

  • ID Max (A):

    3.3

  • PD Max (W):

    1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=135

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=100

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    6.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    5.5

  • Ciss Typ (pF):

    531

  • Package Type:

    WDFN-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
24+
20000
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ON(安森美)
23+
标准封装
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ON(安森美)
23+
标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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ON(安森美)
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标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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ON(安森美)
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标准封装
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SOT86
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更多NTLJD3115P供应商 更新时间2025-10-3 15:30:00