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NTLJD3115PTAG	文件：88.37 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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OL-3115	文件：177.09 Kbytes Page：2 Pages	T-1Sub-MidgetFlanged	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
OM3115N	文件：36.63 Kbytes Page：8 Pages	Hybridintegratedcircuitsforinductiveproximitydetectors DESCRIPTION TheOM3105Pisahybridintegratedcircuitintendedforinductiveproximitydetectorsinatubularconstruction,especiallytheM5hollowstud.Thecircuitperformsamakefunction(version1):whenactuated,thecurrentflowsthroughtheload,whichcanbeforexampleaLEDorano	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
OM3115P	文件：36.63 Kbytes Page：8 Pages	Hybridintegratedcircuitsforinductiveproximitydetectors DESCRIPTION TheOM3105Pisahybridintegratedcircuitintendedforinductiveproximitydetectorsinatubularconstruction,especiallytheM5hollowstud.Thecircuitperformsamakefunction(version1):whenactuated,thecurrentflowsthroughtheload,whichcanbeforexampleaLEDorano	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PAM3115	文件：537.76 Kbytes Page：16 Pages	1.5ALowVoltage-LowDropoutCMOSRegulator	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

详细参数

型号：
NTLJD3115PTAG
功能描述：
MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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