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NTLUF4189NZ	文件：154.96 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, N?묬hannel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm Cool Package 文件：154.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLUF4189NZTAG	文件：154.96 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, N?묬hannel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm Cool Package 文件：154.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLUF4189NZTBG	文件：154.96 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, N?묬hannel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm Cool Package 文件：154.96 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLUF4189NZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-Channel µCool™ Power MOSFET and Schottky Diode 30V 1.5A 200mΩ Power MOSFET and Schottky Diode \n30 V, N−Channel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm µCool™ Package Low Qg and Capacitance\nMinimize Switching Losses\nLow Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm\nBoard Space Saving\nLow Vf Schottky Diode\nMinimize Power Loss\nLead Free and Halide Free\nRoHS Compliance\nESD Protected Gate;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Single N-Channel µCool™ Power MOSFET and Schottky Diode 30V 1.5A 200mΩ
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
with Schottky Diode
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1.5
ID Max (A)：
1.2
PD Max (W)：
0.8
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
350
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
200
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
10.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.4
Ciss Typ (pF)：
95
Package Type：
UDFN-6

更多NTLUF4189NZ供应商更新时间2025-10-14 9:10:00