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NTLGF3501NT1G中文资料MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTLGF3501NT1G

功能描述

MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:30:00

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技术参数

  • 型号:

    NTLGF3501NT1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A FETKY T

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
DFN
112
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ON
24+
QFN
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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ON
22+
DFN-6
3000
原装正品,支持实单
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三年内
1983
只做原装正品
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ON Semiconductor
23+
6VDFN
9000
原装正品,支持实单
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ONS
2023+
SO-8
50000
原装现货
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ON Semiconductor
23+
6VDFN
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ON/安森美
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