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NTLJF3117P	文件：295.52 Kbytes Page：2 Pages	Typical Uses for FETKY Devices 文件：295.52 Kbytes 页数：2 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJF3117P	文件：91.88 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode ??0 V, ??.1 A, P?묬hannel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, uCool Package 文件：91.88 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJF3117P_1	文件：295.52 Kbytes Page：2 Pages	Typical Uses for FETKY Devices 文件：295.52 Kbytes 页数：2 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJF3117PT1G	文件：91.88 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode ??0 V, ??.1 A, P?묬hannel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, uCool Package 文件：91.88 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJF3117PTAG	文件：91.88 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode ??0 V, ??.1 A, P?묬hannel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, uCool Package 文件：91.88 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLJF3117P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single P-Channel µCool™ Power MOSFET with Schottky Diode -20V -4.1A 100mΩ Power MOSFET and Schottky Diode\n-20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm,\nµ\u0002Cool™\u0002 Package • FETKY™ Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode\n• µCool™ Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction\n• 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package Design\n• Indepedent Pinout Provides Circuit Design Flexibility\n• Low Profile (\n• High Current Schottky Diode:2 A Cu;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
with Schottky Diode
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
3.3
PD Max (W)：
1.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
135
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
100
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
12.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
5.5
Ciss Typ (pF)：
531
Package Type：
WDFN-6

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更多NTLJF3117P供应商更新时间2025-10-6 14:14:00

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