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NTJD1155LT1G	文件：114.47 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET High Side Load Switch with Level?뭆hift, P?묬hannel SC??8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NTJD1155LT1G	文件：3.54162 Mbytes Page：5 Pages	Load Switch with Level-Shift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
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详细参数

型号：
NTJD1155LT1G
功能描述：
MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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