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NTJD4152PT1	文件：93.89 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTJD4152PT1G	文件：93.89 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTJD4152PT1G	文件：75.96 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVJD4152PT1G	文件：75.96 Kbytes Page：5 Pages	TrenchSmallSignalMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTJD4152PT1
功能描述：
MOSFET 20V 0.88A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTJD4152PT1供应商更新时间2025-5-19 13:30:00

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